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| 文章 | Intrinsic Polarization Superjunctions Boost GaN-On-Silicon Power Devices (EPFL) |
| 信任等级 | Aggregate |
| 发布主体 | — |
| 来源 | https://semiengineering.com/intrinsic-polarization-superjunctions-boost-gan-on-silicon-power-devices-epfl/ |
| 创建时间 | Sunday, 30 August 2026 - 16:00 |
| 已记录哈希 | 111d9c108577346640649e36b85bcd68415da57017287b4fb84f1edf369185c4 |
| 重算哈希 | 111d9c108577346640649e36b85bcd68415da57017287b4fb84f1edf369185c4 |
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